Datasheet > NUS3046MNT1G

NUS3046MNT1G

更新时间： 2024-11-21 20:31:23

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	817K
描述
1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8, 3.30 X 3.30 MM, LEAD FREE, DFN-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NUS3046MNT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DFN
包装说明：	HVSON,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	其他特性：	DETECTOR THRESHOLD VOLTAGE IS 5.5V
可调阈值：	YES	模拟集成电路 - 其他类型：	POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代码：	S-PDSO-N8	JESD-609代码：	e3
长度：	3.3 mm	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
信道数量：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HVSON	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	COMMERCIAL	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	25 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	6 V	表面贴装：	YES
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3.3 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NUS3055MUTAG	ONSEMI	获取价格	Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET
NUS3065MU	ONSEMI	获取价格	Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET
NUS3065MUTAG	ONSEMI	获取价格	Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET
NUS3116MT	ONSEMI	获取价格	Main Switch Power MOSFET and Dual Charging BJT
NUS3116MTR2G	ONSEMI	获取价格	Main Switch Power MOSFET and Dual Charging BJT
NUS5530MN	ONSEMI	获取价格	Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor
NUS5530MNR2G	ONSEMI	获取价格	Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor
NUS5531MT	ONSEMI	获取价格	Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT
NUS5531MTR2G	ONSEMI	获取价格	Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT
NUS6160MN	ONSEMI	获取价格	Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET