Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NUS3116MTR2G

NUS3116MTR2G

更新时间： 2024-11-21 06:00:43

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体开关小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	174K
描述
Main Switch Power MOSFET and Dual Charging BJT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NUS3116MTR2G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFN
包装说明：	CHIP CARRIER, S-XBCC-N8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.32
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.47 A	最大漏极电流 (ID)：	4.4 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-XBCC-N8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NUS3116MTR2G 数据手册

NUS3116MT

Main Switch Power

MOSFET and Dual Charging

BJT

-12 V, -6.2 A, mCoolE Single P-Channel

with Dual PNP low V_ce(sat)Transistors,

3x3ꢀmm WDFN Package

http://onsemi.com

MOSFET

TYP

I MAX

(BR)DSS

DS(on)

This device integrates one high performance power MOSFET and

two low V

transistors, greatly reducing the layout space and

ce(sat)

optimizing charging performance in the battery-powered portable

electronics.

32 mW @ -4.5 V

44 mW @ -2.5 V

-12 V

-6.2 A

Features

Low V_ce(sat)PNP (Wall)

•ꢀHigh Performance Power MOSFET

MAX

I MAX

CEO

EBO

•ꢀDual-Low V

Transistors as Charging Power Mux

ce(sat)

-30 V

-8.0 V

-2.0 A

•ꢀ3.0x3.0x0.8 mm WDFN Package

•ꢀIndependent Pin-out Provides Circuit Flexibility

•ꢀLow Profile (<0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments

•ꢀThis is a Pb-Free Device

Low V_ce(sat)PNP (USB)

CEO

MAX

EBO

MAX

I MAX

Applications

-30 V

-8.0 V

-2.0 A

•ꢀMain Switch and Battery Charging Mux for Portable Electronics

•ꢀOptimized for Commercial PMUs from Top Suppliers (See Figure 2)

MARKING DIAGRAM

3116

AYWWꢀG

DFN8

CASE 506BC

3116

= Device Code

= Assembly Location

= Year

= Work Week

= Pb-Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

ORDERING INFORMATION

†

Device

NUS3116MTR2G

Package

Shipping

3000/Tape & Reel

mCOOL™ 3x3 Pin Connections

(Top View)

WDFN8

(Pb-Free)

Figure 1. Simple Schematic

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

May, 2007 - Rev. 0

Publication Order Number:

NUS3116MT/D

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与NUS3116MTR2G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NUS5530MN	ONSEMI	获取价格	Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor
NUS5530MNR2G	ONSEMI	获取价格	Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor
NUS5531MT	ONSEMI	获取价格	Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT
NUS5531MTR2G	ONSEMI	获取价格	Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT
NUS6160MN	ONSEMI	获取价格	Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET
NUS6160MNTWG	ONSEMI	获取价格	Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET
NUS6189MN	ONSEMI	获取价格	Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET
NUS6189MNTWG	ONSEMI	获取价格	Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET
Nut for fuse holder	SCHURTER	获取价格	Mounting accessories for fuse holder
NUU102E	NICHIA	获取价格	LD Slot Module (Ultra Violet Laser Type)

与NUS3116MTR2G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

30
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

22
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

51
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

49

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NUS3116MTR2G

NUS3116MTR2G 技术参数

NUS3116MTR2G 数据手册

与NUS3116MTR2G相关器件

与NUS3116MTR2G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NUS3116MTR2G

NUS3116MTR2G 技术参数

NUS3116MTR2G 数据手册

与NUS3116MTR2G相关器件

与NUS3116MTR2G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？