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NUS5531MTR2G

更新时间： 2024-11-09 06:00:39

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安森美 - ONSEMI		开关
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10页	146K
描述
Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT

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NUS5531MTR2G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DFN	包装说明：	3 X 3 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEAD FREE, CASE 506BC-01, WDFN-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
外壳连接：	DRAIN	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	SINGLE WITH BUILT IN BIPOLAR TRANSISTOR AND DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (ID)：	4.4 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N8	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.18 V
Base Number Matches：	1

NUS5531MTR2G 数据手册

NUS5531MT

Main Switch Power

MOSFET and Single

Charging BJT

−12 V, −6.2 A, Single P−Channel FET with

Single PNP low V_ce(sat)Transistor,

3x3 mm WDFN Package

http://onsemi.com

MOSFET

DS(on)

TYP

I MAX

(BR)DSS

This device integrates one high performance power MOSFET and

one low V

transistor, greatly reducing the layout space and

32 mW @ −4.5 V

44 mW @ −2.5 V

ce(sat)

−12 V

−6.2 A

optimizing charging performance in battery−powered portable

electronics.

Low V_ce(sat)PNP (Wall/USB)

Features

MAX

I MAX

CEO

EBO

• High Performance Power MOSFET

−20 V

−7.0 V

−2.0 A

• Single Low V

Transistor as Charging Power Mux

ce(sat)

• 3.0x3.0x0.8 mm WDFN Package

• Independent Pin−out Provides Circuit Flexibility

• Low Profile (<0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments

• This is a Pb−Free Device

MARKING DIAGRAM

5531

AYWW G

WDFN8

CASE 506BC

Applications

• Main Switch and Battery Charging Mux for Portable Electronics

• Optimized for Commercial PMUs from Top Suppliers (See Figure 2)

5531

= Device Code

= Assembly Location

= Year

= Work Week

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

Emitter

Base

N/C

PIN ASSIGNMENT

Base

Emitter

Collector

Source

Collector

Source

Gate

Drain

GATE

Drain

(Bottom View)

(Top View)

ORDERING INFORMATION

Figure 1. Simple Schematic

†

Device

NUS5531MTR2G

Package

Shipping

WDFN8

3000/Tape & Reel

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2008

Publication Order Number:

July, 2008 − Rev. 1

NUS5531MT/D

12 3 4 5 6 7...10

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NUU102E	NICHIA	获取价格	LD Slot Module (Ultra Violet Laser Type)
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