5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTTFS4928NTWG
NTTFS4928NTWG PDF预览

NTTFS4928NTWG

更新时间： 2024-02-25 03:21:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体转换器小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 140K
描述
Power MOSFET 30 V, 37 A, Single N?Channel, 8FL DC?DC Converters

阅读下载

获取价格

NTTFS4928NTWG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 511AB-01, WDFN-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：5.66
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：37 A最大漏极电流 (ID)：7.3 A
最大漏源导通电阻：0.0135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：20.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTTFS4928NTWG 数据手册

 浏览型号NTTFS4928NTWG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTTFS4928NTWG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTTFS4928NTWG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTTFS4928NTWG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTTFS4928NTWG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTTFS4928NTWG的Datasheet PDF文件第7页 
NTTFS4928N  
Power MOSFET  
30 V, 37 A, Single N−Channel, m8FL  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
9.0 mW @ 10 V  
Applications  
30 V  
37 A  
13.5 mW @ 4.5 V  
• DC−DC Converters  
• Power Load Switch  
• Notebook Battery Management  
• Motor Control  
N−Channel MOSFET  
D (5−8)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
DSS  
30  
20  
V
V
A
G (4)  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
11.8  
8.5  
A
S (1,2,3)  
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 85°C  
A
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T = 25°C  
P
2.12  
W
A
q
A
D
JA  
MARKING DIAGRAM  
1
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
A
15.9  
11.5  
3.86  
1
S
S
S
G
D
D
D
D
Current R  
(Note 1)  
≤ 10 s  
q
JA  
4928  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
T = 85°C  
A
Power Dissipation  
≤ 10 s (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
I
W
A
D
D
D
R
Steady  
State  
q
JA  
Continuous Drain  
Current R (Note 2)  
T = 25°C  
A
7.3  
5.2  
D
4928  
A
Y
WW  
G
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
q
JA  
T = 85°C  
A
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
0.81  
W
A
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R (Note 1)  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
37  
27  
D
(Note: Microdot may be in either location)  
q
JC  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
20.8  
W
R
q
JC  
ORDERING INFORMATION  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
160  
A
A
p
†
Device  
Package  
Shipping  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
NTTFS4928NTAG  
WDFN8  
(Pb−Free)  
1500 / Tape &  
Reel  
T
Source Current (Body Diode)  
I
S
20  
6.0  
20  
A
NTTFS4928NTWG WDFN8  
5000 / Tape &  
Reel  
Drain to Source dV/dt  
dV/dt  
V/ns  
mJ  
(Pb−Free)  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy  
E
AS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
(T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
I = 20 A , L = 0.1 mH, R = 25 W)  
L
pk  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
May, 2011 − Rev. 0  
NTTFS4928N/D  
 
1234567

下载PDF

与NTTFS4928NTWG相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NTTFS4929N ONSEMI Power MOSFET 30 V, 34 A, Single N−Channel,

获取价格
NTTFS4929NTAG ONSEMI Power MOSFET 30 V, 34 A, Single N−Channel,

获取价格
NTTFS4929NTWG ONSEMI Power MOSFET 30 V, 34 A, Single N−Channel,

获取价格
NTTFS4930N ONSEMI Power MOSFET 30 V, 23 A, Single N?Channel, 8FL Notebook Battery Management

获取价格
NTTFS4930NTAG ONSEMI Power MOSFET 30 V, 23 A, Single N?Channel, 8FL Notebook Battery Management

获取价格
NTTFS4930NTWG ONSEMI Power MOSFET 30 V, 23 A, Single N?Channel, 8FL Notebook Battery Management

获取价格

与NTTFS4928NTWG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证