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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NTE159M
NTE159M PDF预览

NTE159M

更新时间： 2024-02-06 15:30:32
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 36K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose

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NTE159M 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：MATCHED COMPLIMENTARY PAIR CONTAINS NTE123AP AND NTE159
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：180
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
元件数量：2端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN AND PNP
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

NTE159M 数据手册

 浏览型号NTE159M的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NTE159M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTE159M的Datasheet PDF文件第4页 
Electrical Characteristics (Cont’d): (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max  
Unit  
ON Characteristics (Cont’d)  
Base–Emitter Saturation Voltage  
V
BE(sat)  
NTE123A  
I = 150mA, I = 15mA, Note 1  
0.6  
–
–
–
–
–
1.2  
2.0  
1.3  
2.6  
V
V
V
V
C
B
I = 500mA, I = 50mA, Note 1  
C
B
NTE159M  
I = 150mA, I = 15mA, Note 1  
–
C
B
I = 500mA, I = 50mA  
–
C
B
Small–Signal Characteristics  
Current Gain–Bandwidth Product  
f
T
NTE123A  
I = 20mA  
V
= 20V, f = 100MHz,  
300  
200  
–
–
–
–
–
–
8
MHz  
MHz  
pF  
C
CE  
Note 2  
NTE159M  
I = 50mA  
C
Output Capacitance  
C
obo  
V = 10V, I = 0, f = 100kHz  
CB E  
Input Capactiance  
NTE123A  
C
ibo  
V
V
= 0.5V  
= 2V  
I = 0, f = 100kHz  
–
–
–
–
–
25  
30  
pF  
pF  
kΩ  
kΩ  
BE  
C
NTE159M  
BE  
Input Impedance (NTE123A Only)  
h
h
I = 1mA  
C
V
V
V
V
= 10V, f = 1kHz  
= 10V, f = 1kHz  
= 10V, f = 1kHz  
= 10V, f = 1kHz  
2.0  
8.0  
ie  
CE  
I = 10mA  
C
0.25  
–
–
–
–
–
–
–
–
1.25  
8
–4  
I = 1mA  
C
x 10  
x 10  
Voltage Feedback Ratio  
(NTE123A Only)  
re  
CE  
CE  
CE  
–4  
I = 10mA  
C
–
4
h
fe  
I = 1mA  
C
50  
75  
5
300  
375  
35  
Small–Signal Current Gain  
(NTE123A Only)  
I = 10mA  
C
Output Admittance (NTE123A Only)  
h
oe  
I = 1mA  
C
µmhos  
I = 10mA  
C
25  
200 µmhos  
Collector–Base Time Constant  
rb′C  
c
(NTE123A Only)  
I = 20mA, V = 20V, f = 31.8MHz  
E CB  
–
–
–
–
150  
4
ps  
Noise Figure (NTE123A Only)  
NF  
I = 100µA, V = 10V, R = 1kΩ,  
dB  
C
CE  
S
f = 1kHz  
Real Part of Common–Emitter High  
Frequency Input Impedance  
(NTE123A Only)  
Re(h ) I = 20mA, V = 20V, f = 300MHz  
–
–
60  
Ω
ie  
C
CE  
Switching Characteristics  
NTE123A  
Delay Time  
V
C
= 30V, V  
= 500mV,  
t
–
–
–
–
–
–
–
–
10  
25  
ns  
ns  
ns  
ns  
CC  
BE(off)  
B1  
d
I = 150mA, I =– 15mA  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
t
r
t
s
225  
60  
V
B1  
= 30V, I = 150mA,  
CC  
C
I
= I = 15mA  
B2  
t
f
NTE159M  
Turn–On Time  
V
B1  
= 30V, I = 150mA,  
t
–
–
–
–
–
–
26  
6
45  
10  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
CC  
= 15mA  
C
on  
I
Delay Time  
Rise Time  
t
d
t
r
20  
70  
50  
20  
40  
Turn–Off Time  
Storage Time  
Fall Time  
t
off  
100  
80  
V
B1  
= 6V, I = 150mA,  
C
CC  
I
= I = 15mA  
B2  
t
s
t
f
30  
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
Note 2. fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.  
1234

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