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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NTE160
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NTE160

更新时间： 2024-10-31 22:54:23
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
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2页 24K
描述
Germanium PNP Transistor RF-IF Amp, FM Mixer OSC

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NTE160 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：1.56Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.01 A集电极-发射极最大电压：16 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-72
JESD-30 代码：O-MBCY-W4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GERMANIUM标称过渡频率 (fT)：700 MHz
Base Number Matches：1

NTE160 数据手册

 浏览型号NTE160的Datasheet PDF文件第2页 
NTE160  
Germanium PNP Transistor  
RF–IF Amp, FM Mixer OSC  
Description:  
The NTE160 is a germanium mesa PNP transistor in a TO72 metal case designed for use as a pream-  
plifier mixer and oscillator up to 900MHz.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage (VBE = 0), VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V  
Collector–Emitter Voltage, (IB = 0), VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V  
Emitter–Base Voltage (IC = 0), VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA  
Total Power Dissipation (TA = +45°C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mW  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +90°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –30° to +75°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400°C/W max  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750°C/W max  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
ICES  
Test Conditions  
VCE = –20V, VBE = 0  
Min  
–
Typ  
–
Max Unit  
Collector Cutoff Current  
–8  
µA  
µA  
ICEO  
VCE = –15V, IB = 0  
–
–
–500  
Emitter Cutoff Current  
Base–Emitter Voltage  
IEBO  
VEB = –0.3V, IC = 0  
–
–
–100  
µA  
VBE  
IC = –2mA, VCE = –10V  
IC = –5mA, VCE = –5V  
–
–350  
–400  
50  
–
–
–
–
–
–
6
mV  
mV  
–
DC Current Gain  
hFE  
IC = –2mA, VCE = –10V  
IC = –5mA, VCE = –5V  
–
–
42  
Transition Frequency  
Reverse Capacitance  
Noise Figure  
fT  
IC = –2mA, VCE = –10V, f = 100MHz  
IC = –2mA, VCE = –10V, f = 450kHz  
–
700  
0.23  
5
MHz  
pF  
–Cre  
NF  
–
IC = –2mA, VCE = –10V, Rg = 60Ω,  
–
dB  
f = 800MHz  
Power Gain  
Gpb  
IC = –2mA, VCE = –10V, RL = 2kΩ,  
f = 800MHz  
11  
14  
–
dB  
12

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