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NTE16 PDF预览

NTE16

更新时间： 2024-11-01 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon Complementary Transistors Low Noise, General Purpose Amplifier

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NTE16 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.74Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：2 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
Base Number Matches：1

NTE16 数据手册

 浏览型号NTE16的Datasheet PDF文件第2页 
NTE16 (NPN) & NTE17 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Low Noise, General Purpose Amplifier  
Features:  
D Low Collector Saturation Voltage  
D Low Output Capacitance  
D Low Noise  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
Collector Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C  
Electrical Charactristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
40  
50  
5
Typ Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 1mA  
–
–
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
V
V
I = 50µA  
C
I = 50µA  
–
V
E
I
V
CB  
V
EB  
V
CE  
= 30V  
= 4V  
–
0.5  
0.5  
560  
µA  
µA  
CBO  
Emitter Cutoff Current  
I
–
EBO  
DC Current Gain  
h
FE  
= 6V, I = 1mA  
270  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
NTE16  
V
CE(sat)  
I = 50mA, I = 5mA  
–
–
–
0.4  
0.5  
V
V
C
B
NTE17  
0.1  
Transition Frequency  
NTE16  
f
T
V
CE  
= 12V, I = 2mA  
–
–
180  
140  
–
–
MHz  
MHz  
E
NTE17  
Output Capacitance  
NTE16  
C
ob  
V
CB  
= 12V, I = 0, f = 1MHz  
–
–
2.0  
4.0  
3.5  
5.0  
pF  
pF  
E
NTE17  
12

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