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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> NTE16002
NTE16002 PDF预览

NTE16002

更新时间： 2024-10-31 22:54:23
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体射频双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 27K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output, PO = 13.5W, 175MHz

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NTE16002 技术参数

生命周期：Active包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-P3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.61Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：3 A
基于收集器的最大容量：20 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-MUPM-P3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：23 W最大功率耗散 (Abs)：23 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP RF Small Signal
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：UPPER晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：400 MHz
Base Number Matches：1

NTE16002 数据手册

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NTE16002  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Output, PO = 13.5W, 175MHz  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 200mA, I = 0, Note 1  
40  
4
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO(sus)  
C
B
V
I = 0.25mA, I = 0  
E C  
(BR)EBO  
I
V
CE  
= 30V, I = 0  
–
0.25 mA  
CEO  
B
I
V
C
= 30V, V  
= 1.5V,  
= 1.5V  
–
10  
mA  
CEX  
CE  
BE(off)  
T = +200°C  
V
CE  
V
CB  
V
BE  
= 65V, V  
–
–
–
–
–
–
5
1
mA  
mA  
BE(off)  
I
= 65V, I = 0  
E
CBO  
Emitter Cutoff Current  
I
= 4V, I = 0  
0.25 mA  
EBO  
C
ON Characteristics  
DC Current Gain  
h
V
= 5V, I = 1A  
5
–
–
–
–
–
–
FE  
CE  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
Dynamic Characteristics  
Current Gain–Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
I = 500mA, I = 100mA  
C
1.0  
1.5  
V
V
CE(sat)  
B
V
I = 1A, I = 5A  
C B  
BE(sat)  
f
V
CE  
= 28V, I = 150mA, f = 100MHz  
–
–
400  
16  
–
MHz  
pF  
T
C
C
V
CB  
= 30V, I = 0, f = 100kHz  
20  
ob  
E
Note 1. Pulsed through 25mH inductor.  
1234

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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