NTE16001

更新时间： 2024-01-19 01:00:17

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4页	24K
描述
Silicon NPN Transistor Video IF Amp

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NTE16001 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	2.03	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

NTE16001 数据手册

NTE16001

Silicon NPN Transistor

Video IF Amp

Features:

D High Transistion Frequency

D Good Linearity of DC Current Gain

D An M Type Mold package that Allows Easy Manual and Automatic Insertion. Can be Firmly

Mounted Flush to PC Board Surface.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Collector Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Collector–Base Voltage

Collector–Emitter Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

Test Conditions

= 20V, I = 0

Min Typ Max Unit

–

µA

CEO

CBO

CEO

EBO

I = 10µA, I = 0

C E

I = 1mA, I = 0

–

I = 10µA, I = 0

–

DC Current Gain

= 10V, I = –10mA

–

100

0.5

–

Collector–Emitter Saturation Volatge

Transistion Frequency

I = 20mA, I = 2mA

CE(sat)

= 10V, I = –10mA, f =

300 500

MHz

100MHz

Small–Signal Reverse Transfer Capaci-

tance

= 10V, I = 1mA

–

1.5

–

Power Gain

= 10V, I = –10mA, f = 58MHz

12 3 4

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