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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NTE16001
NTE16001 PDF预览

NTE16001

更新时间： 2024-10-31 22:54:23
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 24K
描述
Silicon NPN Transistor Video IF Amp

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NTE16001 技术参数

生命周期：Active包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：2.12
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：1.5 pF集电极-发射极最大电压：35 V
配置：SINGLE最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：500 MHz
Base Number Matches：1

NTE16001 数据手册

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NTE16001  
Silicon NPN Transistor  
Video IF Amp  
Features:  
D High Transistion Frequency  
D Good Linearity of DC Current Gain  
D An M Type Mold package that Allows Easy Manual and Automatic Insertion. Can be Firmly  
Mounted Flush to PC Board Surface.  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mW  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Collector–Base Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Test Conditions  
= 20V, I = 0  
Min Typ Max Unit  
I
V
–
45  
35  
4
–
–
10  
–
µA  
V
CEO  
CE  
B
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
I = 10µA, I = 0  
C E  
I = 1mA, I = 0  
–
–
V
C
B
I = 10µA, I = 0  
–
–
V
E
C
DC Current Gain  
h
V
= 10V, I = –10mA  
20  
–
50  
–
100  
0.5  
–
FE  
CB  
E
Collector–Emitter Saturation Volatge  
Transistion Frequency  
V
I = 20mA, I = 2mA  
C
V
CE(sat)  
B
f
V
CB  
= 10V, I = –10mA, f =  
300 500  
MHz  
T
E
100MHz  
Small–Signal Reverse Transfer Capaci-  
tance  
C
V
= 10V, I = 1mA  
–
–
–
1.5  
–
pF  
dB  
re  
CE  
CB  
C
Power Gain  
PG  
V
= 10V, I = –10mA, f = 58MHz  
18  
E
1234

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