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NTE129P

更新时间： 2024-11-13 23:54:47

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其他 - ETC		晶体晶体管
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2页	24K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-237

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NTE129P 数据手册

NTE128P (NPN) & NTE129P (PNP)

Silicon Complementary Transistors

General Purpose Amp

Description:

The NTE128P (NPN) and NTE129P (PNP) are silicon complemedntary transistors designed for use

in general purpose power amplifier and switching applications.

Features:

D High V_CERatings

D Exceptional Power Dissipation Capability

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current , I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Power Dissipation, P_TOT

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.850W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage BV_CEOI_C= 10mA, I_B= 0

–

100

–

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB= 80V

V_EB= 4V

–

I_C= 10mA, V_CE= 2V

I_C= 350mA, V_CE= 2V

100

–

300

0.35

–

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 350mA

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

f_T

I_C= 50mA

–

C_ob

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

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