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NTE130

更新时间: 2024-11-13 22:44:47
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NTE 晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 28K
描述
Silicon Power Transistor Audio Power Amp, Medium Speed Switch

NTE130 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:1.65
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:115 W最大功率耗散 (Abs):115 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):2.5 MHz
Base Number Matches:1

NTE130 数据手册

 浏览型号NTE130的Datasheet PDF文件第2页 
NTE130 (NPN) & NTE219 (PNP)  
Silicon Power Transistor  
Audio Power Amp, Medium Speed Switch  
Description:  
The NTE130 (NPN) and NTE219 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO3 type case  
designed for general purpose switching and amplifier applications.  
Features:  
D DC Current Gain: hFE = 20 – 70 @ IC = 4A  
D Collector–Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.1V (Max) @ IC = 4A  
D Excellent Safe Operating Area  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Collector–Emitter Voltage, VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.657W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.52°C/W  
Electrical Characteristics: (TC =+25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 200mA, I = 0, Note 1  
60  
70  
V
CEO(sus)  
C
B
V
V
I = 200mA, R = 100, Note 1  
CER(sus)  
C
BE  
I
V
= 30V, I = 0  
0.7  
1.0  
5.0  
5.0  
mA  
mA  
mA  
mA  
CEO  
CE  
CE  
CE  
BE  
B
I
V
V
V
= 100V, V  
= 100V, V  
= 1.5V  
CEX  
BE(off)  
BE(off)  
= 1.5V, T = +150°C  
C
Emitter Cutoff Current  
I
= 7V, I = 0  
EBO  
C
Note 1. Pulse Test: Pulse Width 300µs. Duty Cycle 2%.  

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