NTE133

更新时间： 2024-10-04 22:44:47

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NTE		晶体放大器小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
N.Channel JFET Silicon Transistor General Purpose AF Amplifier

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NTE133 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	TO-106, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	1.54
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	25 V	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	2 pF	JEDEC-95代码：	TO-106
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE133 数据手册

NTE133

N–Channel JFET Silicon Transistor

General Purpose AF Amplifier

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Drain–Source Voltage, V_DS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

Drain–Gate Voltage, V_DG. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –25V

Gate Current, I_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case for 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

I = 1µA, V = 0

Min Typ Max Unit

Gate–Source Breakdown Voltage

Gate Reverse Current

–25

–

µA

(BR)GSS

= 20V, V = 0

–1

GSS

= 20V, V = 0, T = +150°C

–

–1

Gate–Source Cutoff Voltage

Gate–Source Voltage

GS(off)

I = 1µA, V = 15V

–

–6.5

–6.0

I = 50µA, V = 15V

–0.4

0.5

1000

Zero–Gate–Voltage Drain Current

Forward Transfer Admittance

= 15V, V = 0

DSS

|y |

= 15V, V = 0, f = 1kHz

7500 µmho

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