NTE13

更新时间： 2024-10-04 22:44:47

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NTE		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
Silicon NPN Transistor Low Voltage Output Amp

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NTE13 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	2.17	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

NTE13 数据手册

NTE13

Silicon NPN Transistor

Low Voltage Output Amp

Features:

D Low Collector–Emitter Saturation Voltage

D High DC Current Gain

D An M Type Mold package that Allows Downsizing of Equipment and Automatic Insertion by

Taping and Magazine Packaging

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Collector–Base Voltage

Collector–Emitter Voltage

Emitter–Base Voltage

DC Current Gain

Symbol

Test Conditions

V_CB= 25V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

I_CBO

–

400

–

100

–

V_CBOI_C= 10µA, I_E= 0

V_CEOI_C= 1mA, I_B= 0

V_EBOI_E= 10µA, I_C= 0

–

h_FE

V_CE= 2V, I_C= 500mA, Note 1

V_CE= 2V, I_C= 1A, Note 1

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 500mA, I_B= 20mA

800

–

0.13 0.4

Base–Emitter Saturation Voltage

Transistion Frequency

V_BE(sat)I_C= 500mA, I_B= 50mA

–

1.2

–

f_T

V_CB= 10V, –I_E= 50mA

–

200

MHz

Collector Capaciatnce

C_ob

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

–

Note 1. Pulse Test

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