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NTE103A

更新时间： 2024-11-08 23:54:47

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其他 - ETC		晶体晶体管
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2页	22K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 32V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-1

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NTE103A 数据手册

NTE102A (PNP) & NTE103A (NPN)

Germanium Complementary Transistors

Medium Power Amplifier

Description:

The NTE102A (PNP) and NTE103A (NPN) are Germanium complementary transistors in a TO1 type

package designed for use as a medium power amplifier.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +90°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +90°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector–Base Voltage

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

V_CBO

I_CBO

Test Conditions

I_C= 200µA, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

295

273

–

V_CB= 10V, I_E= 0

µA

h_FE1

V_CB= 0, I_E= 50mA

V_CB= 0, I_E= 300mA

V_CB= 2V, I_E= 10mA

–

h_FE2

–

Common–Emitter Cutoff Frequency

f_α

–

kHz

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 500mA, I_B= 50mA

Noise Figure NF V_CB= 5V, I_E= 5mA, f = 1kHz

0.17

–

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