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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NTE108
NTE108 PDF预览

NTE108

更新时间： 2024-11-19 22:44:47
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管PC
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon NPN Transistor High Frequency Amplifier

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NTE108 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：2.11
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：380007Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT NPNSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：NTE159Samacsys Released Date：2019-12-21 23:54:58
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：3 pF
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：600 MHzBase Number Matches：1

NTE108 数据手册

 浏览型号NTE108的Datasheet PDF文件第2页 
NTE108  
Silicon NPN Transistor  
High Frequency Amplifier  
Description:  
The NTE108 is a silicon NPN transistor in a TO92 type case designed for low–noise, high–frequency  
amplifiers, 1GHz local oscillatore, non–neutralized IF amplifiers, and non–saturating circuits with rise  
and fall times less than 2.5ns.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +83.3°C/W  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C/W  
Note 1. RΘJA is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 3mA, IB = 0, Note 2  
15  
30  
3
–
–
–
–
–
–
V
V
Collector–Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 1µA, IE = 0  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V(BR)EBO IE = 10µA, IC = 0  
ICBO VCB = 15V, IE = 0  
–
V
–
10  
nA  
Note 2. Pulse Test: Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 1%.  
12

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