NTE107

更新时间： 2024-02-09 21:40:24

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NTE		振荡器晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器 PC
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描述
Silicon NPN Transistor UHF Oscillator for Tuner

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NTE107 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	2.14	Samacsys Confidence：	4
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	2233110
Samacsys Pin Count：	3	Samacsys Part Category：	Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category：	Other	Samacsys Footprint Name：	NTE107-1
Samacsys Released Date：	2020-03-25 17:55:09	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.025 A	基于收集器的最大容量：	1.5 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	700 MHz	Base Number Matches：	1

NTE107 数据手册

NTE107

Silicon NPN Transistor

UHF Oscillator for Tuner

Description:

The NTE107 is a silicon NPN planar epitaxial transistor in a TO92 type package designed specifically

for high frequency applications. This device is suitable for use as an oscillator in UHF television tuners.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25mA

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.67mW/°C

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C

Lead temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case, 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . +260°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Static Characteristics

Collector–Base Breakdown Voltage

V_(BR)CBOI_C= 100µA

–

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_CEO= 3mA, Note 1

Emitter–Base Breakdown Voltage V_(BR)EBOI_E= 100µA

–

Collector Cutoff Current

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB= 15V, I_E= 0

V_EB= 2V, I_C= 0

–

0.5

–

µA

Emitter Cutoff Current

–

Forward Current Transfer Ratio

Collector Saturation Voltage

V_CE= 10V, I_C= 8mA

–

V_CE(sat)I_C= 10mA, I_B= 1mA

0.6

Note 1. Pulse test: Pulse Width = 1µs, Duty Cycle = 1%.

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NTE107 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE23	NTE	类似代替	Silicon NPN Transistor Ultra High Frequency Amp
NTE229	NTE	类似代替	Silicon NPN Transistor VHF Oscillator, Mixer, IF Amp
NTE108	NTE	类似代替	Silicon NPN Transistor High Frequency Amplifier

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NTE108	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Frequency Amplifier
NTE1080	NTE	获取价格	Integrated Circuit TV Video Processor
NTE108-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-106
NTE1081A	NTE	获取价格	Integrated Circuit Audio Power Amplifier, 4.8W
NTE1082	NTE	获取价格	Integrated Circuit FM IF Amplifier
NTE1083	NTE	获取价格	Integrated Circuit Hybrid, Dual High Gain Pre−Amplifier
NTE1085	NTE	获取价格	Integrated Circuit Low Noise Audio Preamp

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