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NSF2250WT1G

更新时间： 2024-09-24 03:45:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 振荡器晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
10页 84K
描述
NPN Silicon Oscillator and Mixer Transistor

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NSF2250WT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SC-70包装说明：CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.24
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1.2 pF
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.202 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2300 MHz
Base Number Matches：1

NSF2250WT1G 数据手册

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NSF2250WT1  
NPN Silicon Oscillator and  
Mixer Transistor  
The NSF2250WT1 NPN silicon epitaxial bipolar transistor is  
intended for use in general purpose UHF oscillator and mixer  
applications. It is suitable for automotive keyless entry and TV tuner  
designs.  
http://onsemi.com  
The device features stable oscillation and small frequency drift  
during changes in the supply voltage and over the ambient temperature  
range.  
COLLECTOR  
3
Features  
1
• High Gain Bandwidth Product: f = 2000 MHz Minimum  
T
BASE  
• Tightly Controlled h Range: h = 120 to 250  
FE  
FE  
• Low Feedback Capacitance: C = 0.45 pF Typical  
RE  
2
• Pb−Free Package is Available  
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
30  
Units  
V
V
V
CBO  
CEO  
1
15  
V
VE  
3.0  
50  
V
BO  
SOT−323/SC−70  
CASE 419  
I
mA  
C
Electrostatic Discharge  
ESD  
HBM − Class 1C  
MM − Class A  
STYLE 3  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
MARKING DIAGRAM  
Symbol  
Max  
Unit  
mW  
Total Device Dissipation  
P
202 (Note 1)  
310 (Note 2)  
1.6 (Note 1) mW/°C  
2.5 (Note 2)  
D
T = 25°C  
A
3M M G  
Derate above 25°C  
G
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Lead  
R
618 (Note 1)  
403 (Note 2)  
°C/W  
°C/W  
°C  
1
q
JA  
3M = Specific Device Code  
R
280 (Note 1)  
332 (Note 2)  
q
JL  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
*Date Code orientation may vary depending upon  
manufacturing location.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−4 @ Minimum Pad  
ORDERING INFORMATION  
2. FR−4 @ 1.0 x 1.0 inch Pad  
†
Device  
Package  
Shipping  
NSF2250WT1  
SOT−323 3000/Tape & Reel  
NSF2250WT1G  
SOT−323 3000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
April, 2006 − Rev. 5  
NSF2250WT1/D  
 
1234567...10

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