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NSD105

更新时间: 2024-02-26 10:43:50
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美国国家半导体 - NSC 局域网放大器驱动晶体管
页数 文件大小 规格书
20页 735K
描述
TRANSISTOR 1.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202, BIP General Purpose Power

NSD105 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.89其他特性:HIGH CURRENT DRIVER
最大集电极电流 (IC):1.5 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JEDEC-95代码:TO-202JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:140 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):10 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):60 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

NSD105 数据手册

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