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NSBMC096VF30

更新时间: 2024-02-17 14:07:36
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 599K
描述
IC 64M X 1, DRAM CONTROLLER, PQFP132, PLASTIC, QFP-132, Memory Controller

NSBMC096VF30 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:BQFP,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
地址总线宽度:32边界扫描:NO
总线兼容性:I960CA; I960CF最大时钟频率:30 MHz
外部数据总线宽度:JESD-30 代码:S-PQFP-G132
长度:24.13 mm低功率模式:NO
内存组织:64M X 1区块数量:4
端子数量:132最高工作温度:70 °C
最低工作温度:封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BQFP封装形状:SQUARE
封装形式:FLATPACK, BUMPER认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.45 mm最大压摆率:100 mA
最大供电电压:5.5 V最小供电电压:4.5 V
标称供电电压:5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:QUAD宽度:24.13 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型:MEMORY CONTROLLER, DRAMBase Number Matches:1

NSBMC096VF30 数据手册

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