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NS41256L35E/883

更新时间: 2024-01-25 14:35:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 41K
描述
32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

NS41256L35E/883 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:35 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CQCC-N32内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC32,.45X.55
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.0005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.13 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

NS41256L35E/883 数据手册

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MICROCIRCUIT DATA SHEET  
MNNS41256L35-X REV 0A0  
Electrical Characteristics  
DC PARAMETERS: ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(The following conditions apply to all the following parameters, unless otherwise specified.)  
DC: Vcc=5.0V +10%, TA=-55 C to +125 C  
PIN-  
NAME  
SUB-  
SYMBOL  
ILI  
PARAMETER  
CONDITIONS  
NOTES  
MIN  
-5  
MAX UNIT  
GROUPS  
Input Leakage  
Current  
Vcc=Max., Vin=Gnd to Vcc  
5
5
uA  
1, 2,  
3
ILO  
Vih  
Vil  
Vol  
Output Leakage  
Current  
Vcc=Max., CE=Vih, Vout=Gnd to Vcc  
-5  
uA  
1, 2,  
3
Input High  
Voltage  
2.2  
-0.5  
6.0  
0.8  
0.4  
0.5  
V
V
V
V
V
1, 2,  
3
Input Low Voltage  
6
1, 2,  
3
Output Low  
Voltage  
Iol=8mA, Vcc=Min.  
Iol=10mA, Vcc=Min.  
Ioh=-4mA, Vcc=Min.  
1, 2,  
3
1, 2,  
3
Voh  
Output High  
Voltage  
2.4  
1, 2,  
3
DC PARAMETERS: Power Supply Characteristics  
(The following conditions apply to all the following parameters, unless otherwise specified.)  
DC: Vcc=5V +10%  
Icc  
Operating Current CE=Vil, f=fmax=1/trc, Vcc=Max.,  
Iout=0mA  
130  
mA  
mA  
mA  
1, 2,  
3
ISB  
Standby Current  
CE=Vih, f=fmax=1/trc, Vcc=Max.  
30  
10  
1, 2,  
3
ISB1  
Full Standby  
Current  
CE>Vcc-0.2V, f=0, Vcc=Max.,  
Vin>Vcc-0.2V or <0.2V  
1, 2,  
3
4

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NS41256L35J/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

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NS41256L45E/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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NS41256S15E/883 NSC IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32, Static RAM

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NS41256S15E/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 15ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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NS41256S15J-SMD NSC IC,SRAM,32KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC

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NS41256S20E/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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