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NS41256L35E/883

更新时间: 2024-01-08 02:10:55
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德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 41K
描述
32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

NS41256L35E/883 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:35 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CQCC-N32内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC32,.45X.55
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.0005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.13 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

NS41256L35E/883 数据手册

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P000142A  
Pin Configuration  
32LD (pinout)  
LCC (E Suffix)  
4 3 2  
32 31 30  
1
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
NC  
I/O0  
5
29  
A8  
6
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A9  
7
A11  
NC  
OE  
A10  
CE  
I/07  
I/06  
8
9
10  
11  
12  
13  
14 15 16 17 18 19 20  
NS41256  

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