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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 地址总线宽度： | 18 | 边界扫描： | NO |
| 最大时钟频率： | 70 MHz | 外部数据总线宽度： | |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T48 | 低功率模式： | NO |
| 内存组织： | 256K X 1 | 区块数量： | 4 |
| 端子数量： | 48 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大压摆率： | 240 mA |
| 最大供电电压： | 5.5 V | 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MEMORY CONTROLLER, DRAM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NS32818D-80 | TI |
获取价格 |
IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, CDIP48, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48, Memory Controller |
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| NS32818N-70 | TI |
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256KX1, DRAM CONTROLLER, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 |
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| NS32818V-70 | TI |
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256KX1, DRAM CONTROLLER, PQCC64, PLASTIC, LCC-68 |
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| NS32818V-80 | TI |
获取价格 |
256KX1, DRAM CONTROLLER, PQCC64, PLASTIC, LCC-68 |
|
| NS32818V-80X | NSC |
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256KX1, DRAM CONTROLLER, PQCC64, PLASTIC, CC-68 |
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| NS32819D-70 | TI |
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IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, CDIP48, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48, Memory Controller |
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| NS32819D-80 | TI |
获取价格 |
IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, CDIP48, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48, Memory Controller |
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| NS32819N-70 | TI |
获取价格 |
256KX1, DRAM CONTROLLER, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 |
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| NS32819N-70 | NSC |
获取价格 |
IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48, Memory Controller |
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| NS32819N-80 | TI |
获取价格 |
IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48, Memory Controller |
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