生命周期: | Obsolete | 包装说明: | QCCJ, |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
地址总线宽度: | 18 | 边界扫描: | NO |
最大时钟频率: | 80 MHz | 外部数据总线宽度: | |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J64 | 长度: | 24.2316 mm |
低功率模式: | NO | 内存组织: | 256K X 1 |
区块数量: | 4 | 端子数量: | 64 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大压摆率: | 240 mA | 最大供电电压: | 5.5 V |
最小供电电压: | 4.5 V | 标称供电电压: | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | BIPOLAR |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
宽度: | 24.2316 mm | uPs/uCs/外围集成电路类型: | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NS32819XD-70 | TI |
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IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, CDIP52, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-52, Memory Controller | |
NS32819XD-80 | TI |
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IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, CDIP52, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-52, Memory Controller | |
NS32828 | NSC |
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1 Megabit High Speed Dynamic RAM Controller/Drivers | |
NS32828D-70 | ETC |
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DRAM Controller | |
NS32828D-70/A+ | ETC |
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DRAM Controller | |
NS32828D-80 | ETC |
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DRAM Controller | |
NS32828D-80/A+ | ETC |
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DRAM Controller | |
NS32828V-70 | ETC |
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DRAM Controller | |
NS32828V-70/A+ | ETC |
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DRAM Controller | |
NS32828V-70/B+ | ETC |
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DRAM Controller |