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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QCCJ, |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 地址总线宽度： | 18 | 边界扫描： | NO |
| 最大时钟频率： | 70 MHz | 外部数据总线宽度： | |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J64 | 长度： | 24.2316 mm |
| 低功率模式： | NO | 内存组织： | 256K X 1 |
| 区块数量： | 4 | 端子数量： | 64 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大压摆率： | 240 mA | 最大供电电压： | 5.5 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 宽度： | 24.2316 mm | uPs/uCs/外围集成电路类型： | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NS32819V-80 | TI |
获取价格 |
256KX1, DRAM CONTROLLER, PQCC64, PLASTIC, LCC-68 |
|
| NS32819V-80X | NSC |
获取价格 |
IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, PQCC64, PLASTIC, CC-68, Memory Controller |
|
| NS32819XD-70 | TI |
获取价格 |
IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, CDIP52, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-52, Memory Controller |
|
| NS32819XD-80 | TI |
获取价格 |
IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, CDIP52, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-52, Memory Controller |
|
| NS32828 | NSC |
获取价格 |
1 Megabit High Speed Dynamic RAM Controller/Drivers |
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| NS32828D-70 | ETC |
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DRAM Controller |
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| NS32828D-70/A+ | ETC |
获取价格 |
DRAM Controller |
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| NS32828D-80 | ETC |
获取价格 |
DRAM Controller |
|
| NS32828D-80/A+ | ETC |
获取价格 |
DRAM Controller |
|
| NS32828V-70 | ETC |
获取价格 |
DRAM Controller |
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