NP80N055CLE

更新时间： 2024-01-10 23:52:46

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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NP80N055CLE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.011 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP80N055CLE 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP80N055CLE, NP80N055DLE, NP80N055ELE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

These products are N-channel MOS Field Effect

Transistor designed for high current switching

applications.

PART NUMBER

NP80N055CLE

NP80N055DLE

NP80N055ELE

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

TO-263

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 11 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 40 A)

R^DS(on)2= 13 mΩ MAX. (V^GS= 5 V, I^D= 40 A)

• Low C^iss: C^iss= 2900 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC) ^Note1

±80

(TO-262)

Drain Current (Pulse) ^Note2

Total Power Dissipation (T^A= 25 °C)

Total Power Dissipation (T^C= 25 °C)

Single Avalanche Current ^Note3

Single Avalanche Energy ^Note3

Channel Temperature

±200

1.8

P^T

120

I^AS

45 / 30 / 10

2.0 / 90 / 100

175

E^AS

°C

T^ch

Storage Temperature

T^stg

–55 to +175

(TO-263)

Notes 1. Calculated constant current according to MAX. allowable channel

temperature.

2. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %

3. Starting T^ch= 25 °C, R^G= 25 Ω , V^GS= 20 V→0 V (see Figure 4.)

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case

R^th(ch-C)

R^th(ch-A)

1.25

83.3

°C/W

Channel to Ambient

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published March 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D14097EJ3V0DS00 (3rd edition)

The mark ★ shows major revised points.

1999,2000

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP80N055CLE-AZ	RENESAS	获取价格	NP80N055CLE-AZ
NP80N055CLE-S12-AZ	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP80N055DHE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP80N055DHE-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,80A I(D),TO-262
NP80N055DHE-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NP80N055DHE-S12-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP80N055DLE	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
NP80N055DLE-AY	RENESAS	获取价格	暂无描述
NP80N055DLE-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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