Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NP80N055KLE-E2-AY

NP80N055KLE-E2-AY

更新时间： 2024-01-11 05:11:21

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
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描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP80N055KLE-E2-AY 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.015 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP80N055ELE, NP80N055KLE

NP80N055CLE, NP80N055DLE, NP80N055MLE, NP80N055NLE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

<R>

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

NP80N055ELE-E1-AY ^{Note1, 2}

NP80N055ELE-E2-AY ^{Note1, 2}

NP80N055KLE-E1-AY ^Note1

NP80N055KLE-E2-AY ^Note1

NP80N055CLE-S12-AZ ^{Note1, 2}

NP80N055DLE-S12-AY ^{Note1, 2}

NP80N055MLE-S18-AY ^Note1

NP80N055NLE-S18-AY ^Note1

TO-263 (MP-25ZJ) typ. 1.4 g

Tape 800 p/reel

TO-263 (MP-25ZK) typ. 1.5 g

Sn-Ag-Cu

TO-220 (MP-25) typ. 1.9 g

TO-262 (MP-25 Fin Cut) typ. 1.8 g

TO-220 (MP-25K) typ. 1.9 g

TO-262 (MP-25SK) typ. 1.8 g

Tube 50 p/tube

Pure Sn (Tin)

Notes 1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)

2. Not for new design

(TO-220)

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

R^DS(on)2= 13 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A)

RDS(on)3 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A)

• Low input capacitance

(TO-262)

C^iss= 2900 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

(TO-263)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D14097EJ6V0DS00 (6th edition)

Date Published October 2007 NS

Printed in Japan

2002, 2007

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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