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NP60N03KUG-AZ

更新时间： 2024-02-03 06:01:11

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	132K
描述
60A, 30V, 0.0048ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZK, 3 PIN

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NP60N03KUG-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.18	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.0048 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	288 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP60N03KUG-AZ 数据手册

DATA SHEET

^{MOS FIE}N^LDP^EF6^FE0^CN^{T T}0^R3^ANK^SIU^STOG^R

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

PART NUMBER

NP60N03KUG

PACKAGE

The NP60N03KUG is N-channel MOS Field Effect

TO-263 (MP-25ZK)

Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

(TO-263)

• Channel temperature 175 degree rating

• Super low on-state resistance

R^DS(on)= 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)

• Low C^iss: Ciss = 3500 pF TYP.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)

PT1

±20

±60

±240

1.8

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

T^ch

175

Storage Temperature

T^stg

−55 to +175

°C

Repetitive Avalanche Current ^Note2

Repetitive Avalanche Energy ^Note2

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

I^AR

EAR

109

2. T^ch< 150°C, VDD = 15 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

1.70

83.3

°C/W

R^th(ch-A)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

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Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D16860EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published September 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

2004

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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