5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.33 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0063 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP60N04MUK | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| NP60N04MUK-S18-AY | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| NP60N04NUK | RENESAS |
获取价格 |
Product Scout Automotive |
|
| NP60N04NUK-S18-AY | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| NP60N04PDK | RENESAS |
获取价格 |
40 V – 60 A – N-channel Power MOS FET (Produc |
|
| NP60N04VDK | RENESAS |
获取价格 |
40 V – 60 A – N-channel Power MOS FET |
|
| NP60N04VDK-E2-AY | RENESAS |
获取价格 |
40 V - 60 A - N-channel Power MOS FET |
|
| NP60N04VLK | RENESAS |
获取价格 |
N-channel Power MOS FET |
|
| NP60N04VLK-E1-AY | RENESAS |
获取价格 |
N-channel Power MOS FET |
|
| NP60N04VLK-E2-AY | RENESAS |
获取价格 |
40 V - 60 A - N-channel Power MOS FET |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
