Datasheet > NP60N055MUK-S18-AY

NP60N055MUK-S18-AY

更新时间： 2024-09-25 07:20:19

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
8页	105K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NP60N055MUK-S18-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	MP-25K	包装说明：	,
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	105 W	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

NP60N055MUK-S18-AY 数据手册

浏览型号NP60N055MUK-S18-AY的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号NP60N055MUK-S18-AY的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号NP60N055MUK-S18-AY的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号NP60N055MUK-S18-AY的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号NP60N055MUK-S18-AY的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号NP60N055MUK-S18-AY的Datasheet PDF文件第7页

Preliminary Data Sheet

NP60N055MUK, NP60N055NUK

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

R07DS0598EJ0100

Rev.1.00

Jan 11, 2012

Description

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

Features



Super low on-state resistance

_DS(on)= 6.0 m MAX. (V_GS= 10 V, I_D= 30 A)



Low C_iss: C_iss= 2500 pF TYP. (V_DS= 25 V)

Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

Ordering Information

Part No.

NP60N055MUK-S18-AY ^*

NP60N055NUK-S18-AY ^*

Lead Plating

Pure Sn (Tin)

Packing

Tube 50 p/tube

Package

TO-220 (MP-25K)

TO-262 (MP-25SK)

Note: *1 Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D(DC)

I_D(pulse)

P_T1

Ratings

Unit

Drain to Source Voltage (V_GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V_DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T_C= 25°C)

20

60

Drain Current (pulse) ^*

240

105

Total Power Dissipation (T_C= 25°C)

Total Power Dissipation (T_A= 25°C)

Channel Temperature

°C

P_T2

1.8

T_ch

175

Storage Temperature

Repetitive Avalanche Current ^*

Repetitive Avalanche Energy ^*

T_stg

–55 to 175

I_AR

E_AR

Notes: *1 T_C= 25°C, P_W 10 s, Duty Cycle  1%

*2 R_G= 25 , V_GS= 20  0 V

Thermal Resistance

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

R_th(ch-C)

R_th(ch-A)

1.43

83.3

°C/W

R07DS0598EJ0100 Rev.1.00

Jan 11, 2012

Page 1 of 6

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与NP60N055MUK-S18-AY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP60N055NUK	RENESAS	获取价格	Product Scout Automotive
NP60N055NUK-S18-AY	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP60N055VUK	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP60N055VUK-E1-AY	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP60N055VUK-E2-AY	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP60N06MLK-S18-AY	RENESAS	获取价格	60 V - 60 A - N-channel Power MOS FET
NP60N06PDK	RENESAS	获取价格	N-channel Power MOS FET
NP60N06PDK-E1-AY	RENESAS	获取价格	N-channel Power MOS FET
NP60N06PDK-E2-AY	RENESAS	获取价格	N-channel Power MOS FET
NP60N06PLK	RENESAS	获取价格	60 V â 60 A â N-channel Power MOS FET