生命周期: | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8536.69.40.40 |
风险等级: | 5.67 | 其他特性: | NO LATCH INCLUDED |
主体宽度: | 2.913 inch | 主体深度: | 0.984 inch |
主体长度: | 2.913 inch | 联系完成配合: | AU ON NI |
触点材料: | BE-CU | 触点样式: | RND PIN-SKT |
设备插槽类型: | IC SOCKET | 使用的设备类型: | BGA976 |
介电耐压: | 100VAC V | 外壳材料: | POLYETHERIMIDE |
绝缘电阻: | 1000000000 Ω | 插接触点节距: | 0.05 inch |
安装方式: | STRAIGHT | 触点数: | 976 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
PCB接触模式: | RECTANGULAR | 端接类型: | SOLDER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NP276-97623-A | YAMAICHI |
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IC Socket, BGA976, 976 Contact(s) | |
NP276-97623-AC06017 | YAMAICHI |
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IC Socket, BGA672, 672 Contact(s), Solder | |
NP276-97623-X | YAMAICHI |
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IC Socket, BGA976, 976 Contact(s) | |
NP284-26409N | YAMAICHI |
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Chip Scale Package (CSP, 0.50mm Pitch) | |
NP284-26409P | YAMAICHI |
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Chip Scale Package (CSP, 0.50mm Pitch) | |
NP28N10SDE | RENESAS |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
NP28N10SDE-E1-AY | RENESAS |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
NP28N10SDE-E2-AY | RENESAS |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
NP291-03617 | YAMAICHI |
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Fine Ball Grid Array (FBGA, 0.75mm Pitch) | |
NP291-04002-2AC-11318 | YAMAICHI |
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Fine Ball Grid Array (FBGA, 0.75mm Pitch) |