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| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8536.69.40.40 |
| 风险等级： | 5.67 | 主体宽度： | 2.913 inch |
| 主体深度： | 0.984 inch | 主体长度： | 2.913 inch |
| 联系完成配合： | AU ON NI | 触点材料： | BE-CU |
| 触点样式： | RND PIN-SKT | 设备插槽类型： | IC SOCKET |
| 使用的设备类型： | BGA672 | 介电耐压： | 100VAC V |
| 外壳材料： | POLYETHERIMIDE | 绝缘电阻： | 1000000000 Ω |
| 插接触点节距： | 0.05 inch | 安装方式： | STRAIGHT |
| 触点数： | 672 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | PCB接触模式： | RECTANGULAR |
| 端接类型： | SOLDER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP276-97623-X | YAMAICHI |
获取价格 |
IC Socket, BGA976, 976 Contact(s) |
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| NP284-26409N | YAMAICHI |
获取价格 |
Chip Scale Package (CSP, 0.50mm Pitch) |
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| NP284-26409P | YAMAICHI |
获取价格 |
Chip Scale Package (CSP, 0.50mm Pitch) |
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| NP28N10SDE | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP28N10SDE-E1-AY | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP28N10SDE-E2-AY | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP291-03617 | YAMAICHI |
获取价格 |
Fine Ball Grid Array (FBGA, 0.75mm Pitch) |
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| NP291-04002-2AC-11318 | YAMAICHI |
获取价格 |
Fine Ball Grid Array (FBGA, 0.75mm Pitch) |
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| NP291-04002-2-G4-BF | YAMAICHI |
获取价格 |
Fine Ball Grid Array (FBGA, 0.75mm Pitch) |
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| NP291-04002-G4-BF | YAMAICHI |
获取价格 |
IC Socket, BGA40, 40 Contact(s), Solder |
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