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NP28N10SDE-E2-AY

更新时间： 2024-11-24 07:20:19
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8页 249K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NP28N10SDE-E2-AY 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.75配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：28 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YESBase Number Matches：1

NP28N10SDE-E2-AY 数据手册

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Preliminary Data Sheet  
R07DS0507EJ0100  
Rev.1.00  
NP28N10SDE  
Sep 16, 2011  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Description  
The NP28N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.  
Features  
•
Low on-state resistance  
RDS(on)1 = 52 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A)  
RDS(on)2 = 59 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 14 A)  
•
•
Low Ciss: Ciss = 2200 pF TYP. (VDS = 25 V)  
Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified  
Ordering Information  
Part No.  
NP28N10SDE-E1-AY ∗  
NP28N10SDE-E2-AY ∗  
Lead Plating  
Packing  
Tape 2500 p/reel Taping (E1 type)  
Taping (E2 type)  
Package  
1
Pure Sn (Tin)  
TO-252 (MP-3ZK)  
1
Note: ∗1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)  
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C)  
Item  
Symbol  
VDSS  
Ratings  
100  
Unit  
V
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)  
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)  
Drain Current (DC) (TC = 25°C)  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
±20  
V
±28  
A
1
Drain Current (pulse) ∗  
±60  
A
Total Power Dissipation (TC = 25°C)  
Total Power Dissipation (TA = 25°C) ∗  
Channel Temperature  
100  
W
W
°C  
°C  
A
2
PT2  
1.2  
Tch  
175  
Storage Temperature  
Single Avalanche Current ∗  
Single Avalanche Energy ∗  
Tstg  
−55 to +175  
24  
3
IAS  
3
EAS  
58  
mJ  
Thermal Resistance  
Channel to Case Thermal Resistance  
Channel to Ambient Thermal Resistance ∗  
Rth(ch-C)  
Rth(ch-A)  
1.50  
125  
°C/W  
°C/W  
2
Notes: ∗1. TC = 25°C, PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%  
∗2. Mounted on glass epoxy substrate of 40 mm × 40 mm × 1.6 mm with 4% Copper area (35 μm)  
∗3. Tch(start) = 25°C, VDD = 50 V, RG = 25 Ω, L = 100 μH, VGS = 20 V → 0 V  
R07DS0507EJ0100 Rev.1.00  
Sep 16, 2011  
Page 1 of 6  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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