5秒后页面跳转
NNCD11F-T2B-A PDF预览

NNCD11F-T2B-A

更新时间: 2024-02-25 01:52:43
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 二极管
页数 文件大小 规格书
10页 163K
描述
TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,DUAL,UNIDIRECTIONAL,CENTER-TAPPED,SC-59

NNCD11F-T2B-A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
击穿电压标称值:11 V二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性:UNIDIRECTIONAL子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YESBase Number Matches:1

NNCD11F-T2B-A 数据手册

 浏览型号NNCD11F-T2B-A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NNCD11F-T2B-A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NNCD11F-T2B-A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NNCD11F-T2B-A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NNCD11F-T2B-A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NNCD11F-T2B-A的Datasheet PDF文件第9页 
NNCD3.3F to NNCD12F  
Fig. 4 ZZ - IT CHARACTERISTICS  
TYP.  
1 000  
100  
NNCD3.9F  
NNCD4.7F  
NNCD5.1F  
NNCD5.6F  
NNCD10F  
NNCD7.5F  
10  
1
0.1  
1
10  
100  
IT - On State Current - mA  
Fig. 5 TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE  
5 000  
1 000  
625 °C/W  
100  
NNCD [ ] F  
10  
5
1 m  
10 m  
100 m  
1
10  
100  
t - Time - s  
Fig. 6 SURGE REVERSE POWER RATING  
1 000  
TA = 25 °C  
Non-repetitive  
tT  
100  
NNCD [ ] F  
10  
1
1µ  
10µ  
100µ  
1 m  
10 m  
100 m  
tT - Pulse Width - s  
4

与NNCD11F-T2B-A相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NNCD12A NEC ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 400 mW TYPE

获取价格

NNCD12A-AZ RENESAS 100W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-34

获取价格

NNCD12A-T1-AZ RENESAS NNCD12A-T1-AZ

获取价格

NNCD12B NEC ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 500 mW TYPE

获取价格

NNCD12B-AZ RENESAS Trans Voltage Suppressor Diode, 100W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-35

获取价格

NNCD12C NEC ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 150 mW TYPE

获取价格