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NNCD11F-T2B-A

更新时间： 2024-02-29 17:10:41

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瑞萨 - RENESAS		二极管
页数	文件大小	规格书
10页	163K
描述
TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,DUAL,UNIDIRECTIONAL,CENTER-TAPPED,SC-59

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NNCD11F-T2B-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.84
击穿电压标称值：	11 V	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性：	UNIDIRECTIONAL	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

NNCD11F-T2B-A 数据手册

NNCD3.3F to NNCD12F

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C) (A-K1, A-K2)

Dynamic

Note 1

Breakdown Voltage

VBR (V)

Reverse Leakage

Capacitance

Ct (pF)

E.S.D Voltage

(kV)

Note 2

Impedance

Zz (Ω)

IR (µA)

Type Number

TEST

TYP.

TEST

MIN.

MAX.

IT (mA)

MAX.

IT (mA)

MAX.

VR (V)

CONDITION

NNCD3.3F

NNCD3.6F

NNCD3.9F

NNCD4.3F

NNCD4.7F

NNCD5.1F

NNCD5.6F

NNCD6.2F

NNCD6.8F

NNCD7.5F

NNCD8.2F

NNCD9.1F

NNCD10F

NNCD11F

NNCD12F

3.10

3.40

3.70

4.01

4.42

4.84

5.31

5.86

6.47

7.06

7.76

8.56

9.45

10.44

11.42

3.50

3.80

4.10

4.48

4.90

5.37

5.92

6.53

7.14

7.84

8.64

9.55

10.55

11.56

12.60

130

1.0

1.5

2.5

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

220

210

200

180

170

160

140

120

110

C = 150 pF

R = 330 Ω

(IEC1000

-4-2)

VR = 0 V

f = 1 MHz

Notes 1. Tested with pulse (40 ms)

2. Zz is measured at IT give a small A.C. signal.

1 2 345 6 7...10

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与NNCD11F-T2B-A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NNCD12A	NEC	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 400 mW TYPE	获取价格
NNCD12A-AZ	RENESAS	100W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-34	获取价格
NNCD12A-T1-AZ	RENESAS	NNCD12A-T1-AZ	获取价格
NNCD12B	NEC	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 500 mW TYPE	获取价格
NNCD12B-AZ	RENESAS	Trans Voltage Suppressor Diode, 100W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-35	获取价格
NNCD12C	NEC	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 150 mW TYPE	获取价格