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NNCD11F-T2B-A

更新时间: 2024-01-31 17:39:00
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 二极管
页数 文件大小 规格书
10页 163K
描述
TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,DUAL,UNIDIRECTIONAL,CENTER-TAPPED,SC-59

NNCD11F-T2B-A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
击穿电压标称值:11 V二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性:UNIDIRECTIONAL子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YESBase Number Matches:1

NNCD11F-T2B-A 数据手册

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NNCD3.3F to NNCD12F  
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
Fig. 1 POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATURE  
250  
200  
150  
100  
50  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
TA  
- Ambient Temperature - °C  
Fig. 2 IT - VBR CHARACTERISTICS  
Fig. 3 IT - VBR CHARACTERISTICS  
NNCD7.5F  
NNCD8.2F  
NNCD6.8F  
NNCD11F  
NNCD9.1F  
100 m  
100 m  
NNCD10F  
NNCD3.3F  
NNCD3.3F  
NNCD3.9F  
NNCD4.3F  
NNCD12F  
10 m  
1 m  
10 m  
1 m  
NNCD4.7F  
100  
µ
µ
µ
100  
10  
1
µ
µ
µ
10  
1
NNCD5.1F  
NNCD5.6F  
100 n  
10 n  
1 n  
100 n  
10 n  
1 n  
NNCD6.2F  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10  
0
7
8
9 10 11 12 13 14 15  
VBR - Breakdown Voltage - V  
V
BR - Breakdown Voltage - V  
3

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