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NMC6518J9

更新时间: 2024-02-10 13:18:51
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
6页 315K
描述
IC,SYNC SRAM,1KX1,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC

NMC6518J9 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.87
最长访问时间:250 nsJESD-30 代码:R-XDIP-T18
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:18字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL

NMC6518J9 数据手册

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