生命周期: | Obsolete | 包装说明: | QCCJ, |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.63 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 150 ns |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.55 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NM27C256V200 | FAIRCHILD |
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262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C256V200 | NSC |
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262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C256V200X | FAIRCHILD |
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OTP ROM, 32KX8, 200ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
NM27C256V250 | FAIRCHILD |
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OTP ROM, 32KX8, 200ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
NM27C256V90 | FAIRCHILD |
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262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C256V90X | FAIRCHILD |
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OTP ROM, 32KX8, 90ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
NM27C256VE100 | FAIRCHILD |
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262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C256VE120 | FAIRCHILD |
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262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C256VE120 | NSC |
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262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C256VE120X | FAIRCHILD |
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