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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | WDIP, DIP28,.6 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.61 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 150 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | WDIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 12.75 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.72 mm |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | EPROMs |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM27C256QM250 | NSC |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256QM250 | TI |
获取价格 |
32KX8 UVPROM, 250ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
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| NM27C256V | NSC |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256V100 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
|
| NM27C256V100X | FAIRCHILD |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 100ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| NM27C256V120 | NSC |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256V120 | ROCHESTER |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| NM27C256V120 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
|
| NM27C256V120X | FAIRCHILD |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| NM27C256V150 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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