是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | End Of Life | 零件包装代码: | DFN |
包装说明: | VSON, SOLCC6,.04,16 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 1.4 | 系列: | 1G |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N6 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 1.2 mm | 负载电容(CL): | 50 pF |
逻辑集成电路类型: | INVERTER | 最大I(ol): | 0.004 A |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
输入次数: | 1 | 端子数量: | 6 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VSON |
封装等效代码: | SOLCC6,.04,16 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | 包装方法: | TAPE AND REEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8/5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 20.5 ns | 传播延迟(tpd): | 20.5 ns |
认证状态: | Not Qualified | 施密特触发器: | YES |
座面最大高度: | 0.55 mm | 子类别: | Gates |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.4 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 1 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NLU1GT14BMX1TCG | ONSEMI |
完全替代 |
Single Schmitt-Trigger Inverter, TTL Level LSTTL-Compatible Inputs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NLU1GT32 | ONSEMI |
获取价格 |
Single 2-Input OR Gate, TTL Level | |
NLU1GT32_16 | ONSEMI |
获取价格 |
Single 2-Input OR Gate, TTL Level | |
NLU1GT32AMUTCG | ONSEMI |
获取价格 |
Single 2-Input OR Gate, TTL Level | |
NLU1GT32AMX1TCG | ONSEMI |
获取价格 |
Single 2-Input OR Gate, TTL Level | |
NLU1GT32BMX1TCG | ONSEMI |
获取价格 |
Single 2-Input OR Gate, TTL Level | |
NLU1GT32CMUTCG | ONSEMI |
获取价格 |
Single 2-Input OR Gate, TTL Level | |
NLU1GT32CMX1TCG | ONSEMI |
获取价格 |
Single 2-Input OR Gate, TTL Level | |
NLU1GT32MUTCG | ONSEMI |
获取价格 |
Single 2-Input OR Gate, TTL Level | |
NLU1GT50 | ONSEMI |
获取价格 |
Single Buffer, Non-Inverting, TTL Level | |
NLU1GT50_12 | ONSEMI |
获取价格 |
Single Buffer, Non-Inverting, TTL Level |