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NJL7112E

更新时间: 2024-09-19 13:57:55
品牌 Logo 应用领域
NJRC 光电
页数 文件大小 规格书
2页 62K
描述
Photo Transistor, 900nm, 0.025A I(C),

NJL7112E 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:40 V配置:SINGLE
最大暗电源:50 nA红外线范围:YES
标称光电流:0.75 mA安装特点:THROUGH HOLE MOUNT
功能数量:1最大通态电流:0.025 A
最高工作温度:90 °C最低工作温度:-20 °C
光电设备类型:PHOTO TRANSISTOR峰值波长:900 nm
最大功率耗散:0.09 W最长响应时间:0.000008 s
形状:ROUND尺寸:3 mm
子类别:Photo Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

NJL7112E 数据手册

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