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NESG260234-T1

更新时间： 2024-02-18 17:13:47

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	254K
描述
3-PIN POWER MINIMOLD

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NESG260234-T1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	7.2 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NESG260234-T1 数据手册

NESG260234

ELECTRICAL CHARACHTERISTICS (TA = 25°C)

PARAMETER

DC Characteristics

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

−

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

ICBO

IEBO

VCB = 9.2 V, IE = 0 mA

μA

−

VEB = 1.0 V, IC = 0 mA

VCE = 3 V, IC = 100 mA

Note

hFE

120

180

RF Characteristics

−

ηc

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 460 MHz, Pin = 0 dBm

−

Linear gain (1)

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 900 MHz, Pin = 0 dBm

Linear gain (2)

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 460 MHz, Pin = 15 dBm

28.5

−

30.0

dBm

Output Power (1)

Output Power (2)

Collector Efﬁciency (1)

Collector Efﬁciency (2)

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 900 MHz, Pin = 20 dBm

−

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 460 MHz, Pin = 15 dBm

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 900 MHz, Pin = 20 dBm

ηc

−

Notes 1. Pulse measurement: PW ≤ 350 μs, Duty Cycle ≤ 2%

hFE CLASSIFICATION

RANK

Marking

hFE Value

80 to 180

1 234

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