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NE3510M04-T2

更新时间： 2024-01-20 16:40:37
品牌 Logo 应用领域
CEL 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 181K
描述
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NE3510M04-T2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：3 V
最大漏极电流 (ID)：0.03 AFET 技术：JUNCTION
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.125 W
最小功率增益 (Gp)：14.5 dB认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

NE3510M04-T2 数据手册

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NE3510M04  
OUTPUT POWER, GAIN, DRAIN CURRENT,  
GATE CURRENT vs. INPUT POWER  
20  
15  
10  
5
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
f = 4 GHz, V = 2 V  
= 15 mA sDeSt (Non-RF)  
Gain  
I
D
P
out (1 tone)  
0
I
D
–5  
I
G
–10  
–20  
–15  
–10  
–5  
0
5
10  
15  
Input Power Pin (1 tone) (dBm)  
OUTPUT POWER, IM3, DRAIN CURRENT  
vs. INPUT POWER  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
30  
20  
f = 4 GHz, V = 2 V  
= 15 mA sDeSt (Non-RF)  
OIP = +20 dBm  
3
I
D
P
out  
10  
0
IIP3 = +4 dBm  
–10  
–20  
–30  
–40  
–50  
–60  
–70  
IM3 (H)  
IM3 (L)  
I
D
0
–40  
–30  
–20  
–10  
0
10  
Input Power Pin (1 tone) (dBm)  
Remark The graphs indicate nominal characteristics.  
4
Data Sheet PG10676EJ01V0DS  
1234567...11

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