NE3510M04

更新时间： 2024-02-29 05:20:14

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日电电子 - NEC		放大器
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10页	80K
描述
L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

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NE3510M04 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.89
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3 V	最大漏极电流 (ID)：	0.03 A
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.125 W	最小功率增益 (Gp)：	14.5 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE3510M04 数据手册

NE3510M04

OUTPUT POWER, GAIN, DRAIN CURRENT,

GATE CURRENT vs. INPUT POWER

f = 4 GHz, V^DS= 2 V

= 15 mA set (Non-RF)

Gain

out (1 tone)

–5

–10

–20

–15

–10

–5

Input Power Pin (1 tone) (dBm)

OUTPUT POWER, IM^3,DRAIN CURRENT

vs. INPUT POWER

f = 4 GHz, V^DS= 2 V

= 15 mA set (Non-RF)

OIP = +20 dBm

out

IIP3 = +4 dBm

–10

–20

–30

–40

–50

–60

–70

IM3 (H)

IM3 (L)

–40

–30

–20

–10

Input Power Pin (1 tone) (dBm)

Remark The graphs indicate nominal characteristics.

Data Sheet PG10676EJ01V0DS

1 2 345 6 7...10

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