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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 3 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A | FET 技术： | HETERO-JUNCTION |
| 最高频带： | S BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.175 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 12 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NE3509M04 | CEL | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE3509M04_06 | CEL | L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE3509M04-A | CEL | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE3509M04-A | RENESAS | NE3509M04-A |
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| NE3509M04-A | NEC | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun |
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| NE3509M04-T2 | CEL | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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