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NE3505M04

更新时间： 2022-02-26 13:46:18
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CEL /
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20页 335K
描述
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR

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NE3505M04 数据手册

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NE3505M04  
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25 °C)  
NE3505M04 Pin vs. Pout  
VDD=2V, ID=15.5mA(Non-RF), f=2.4GHz  
20  
15  
10  
5
30  
25  
20  
15  
10  
5
Po(1dB)=+8.5dBm  
0
Pout  
Ga  
ID  
-5  
-10  
0
0
-25  
-20  
-15  
-10  
-5  
Pin(dBm)  
NE3505M04 Pin vs IM3  
VDD=2V, ID=15.5mA(Non-RF), f=2.4GHz △f=1MHz  
30  
OIP3=20dBm  
20  
10  
0
-10  
-20  
-30  
-40  
-50  
-60  
-70  
fH_2401  
fL_2400  
IMfL_2399  
IMfH_2402  
IIP3=3.5dBm  
-25  
-20  
-15  
-10  
-5  
0
5
10  
Pin(dBm)  
12345678...20

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