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NDS8928D84Z

更新时间： 2024-11-27 21:12:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 354K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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NDS8928D84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.76
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：0.035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS8928D84Z 数据手册

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July 1996  
NDS8928  
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These dual N- and P -Channel enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high  
density process is especially tailored to minimize on-state  
resistance and provide superior switching performance. These  
devices are particularly suited for low voltage applications such  
as notebook computer power management and other battery  
powered circuits where fast switching, low in-line power loss,  
and resistance to transients are needed.  
N-Channel 5.5A, 20V, RDS(ON)=0.035W @ VGS=4.5V  
DS(ON)=0.045W @ VGS=2.7V  
P-Channel -3.8A, -20V, RDS(ON)=0.07W @ VGS=-4.5V  
DS(ON)=0.1W @ VGS=-2.7V.  
R
R
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount package.  
________________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings  
TA= 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
N-Channel  
P-Channel  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
20  
8
-20  
-8  
V
V
A
(Note 1a)  
5.5  
20  
-3.8  
-15  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
W
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS8928 Rev.D  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS8928F011 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
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 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
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 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
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 		Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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