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NDP4060

更新时间： 2024-09-19 22:29:07
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 69K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDP4060 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
雪崩能效等级（Eas）：40 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDP4060 数据手册

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July 1996  
NDP4060 / NDB4060  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process has  
been especially tailored to minimize on-state resistance, provide  
superior switching performance, and withstand high energy  
pulses in the avalanche and commutation modes. These  
devices are particularly suited for low voltage applications such  
as automotive, DC/DC converters, PWM motor controls, and  
other battery powered circuits where fast switching, low in-line  
power loss, and resistance to transients are needed.  
15A, 60V. RDS(ON) = 0.10W @ VGS=10V.  
Critical DC electrical parameters specified at elevated  
temperature.  
Rugged internal source-drain diode can eliminate the need  
for an external Zener diode transient suppressor.  
175°C maximum junction temperature rating.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
TO-220 and TO-263 (D2PAK) package for both through hole  
and surface mount applications.  
___________________________________________________________________________________________  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
TC = 25°C unles otherwise noted  
NDP4060  
NDB4060  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
60  
60  
VDSS  
VDGR  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 1 MW)  
Gate-Source Voltage - Continuous  
± 20  
± 40  
± 15  
± 45  
50  
V
VGSS  
- Nonrepetitive (tP < 50 µs)  
Drain Current - Continuous  
A
ID  
- Pulsed  
Total Power Dissipation  
W
PD  
Derate above 25°C  
0.33  
W/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 175  
°C  
TJ,TSTG  
TL  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
275  
°C  
NDP4060 Rev. C  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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NDP4060 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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