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NDH8321C

更新时间: 2024-02-01 15:54:56
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 1008K
描述
3800mA, 20V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-8

NDH8321C 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT
包装说明:SUPERSOT-8针数:8
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.37
Is Samacsys:N配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (ID):3.8 A
最大漏源导通电阻:0.035 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NDH8321C 数据手册

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