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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDB7061S62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDB706A | TI |
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75A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB706AE | TI |
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TRANSISTOR 75 A, 60 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, FET General Purp |
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| NDB706AE/L86Z | TI |
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75A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB706AEL | TI |
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75A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB706AEL/L86Z | TI |
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75A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB706AL | TI |
获取价格 |
75A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB706AL/L86Z | TI |
获取价格 |
75A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB706BEL | TI |
获取价格 |
TRANSISTOR 70 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, FET General Purp |
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| NDB706BL | TI |
获取价格 |
70A, 60V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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