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NCEP10N12D

更新时间： 2024-04-09 18:59:05

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新洁能 - NCEPOWER		栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	417K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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NCEP10N12D 数据手册

NCEP10N12,NCEP10N12D

Electrical Characteristics (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ Max Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Body Leakage Current

On Characteristics ^{(Note 3)}

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V I_D=250μA

V_DS=120V,V_GS=0V

V_GS=±20V,V_DS=0V

120

μA

I_GSS

±100

Gate Threshold Voltage

V_GS(th)

R_DS(ON)

g_FS

V_DS=V_GS, I_D=250μA

2.0

3.0

8.5

8.2

4.0

10.0

mΩ

TO-220

TO-263

Drain-Source On-State Resistance

V_GS=10V, I_D=35A

V_DS=5V,I_D=35A

Forward Transconductance

Dynamic Characteristics ^(Note3)

Input Capacitance

C_lss

C_oss

C_rss

3050

280

V_DS=60V,V_GS=0V,

Output Capacitance

F=1.0MHz

Reverse Transfer Capacitance

Switching Characteristics ^{(Note 3)}

Turn-on Delay Time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Turn-on Rise Time

V_DD=60V,I_D=35A

V_GS=10V,R_G=1.6Ω

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

Total Gate Charge

Q_g

Q_gs

Q_gd

12.5

V_DS=60V,I_D=35A,

Gate-Source Charge

V_GS=10V

Gate-Drain Charge

Drain-Source Diode Characteristics

Diode Forward Voltage ^{(Note 2)}

Diode Forward Current

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

V_SD

I_S

V_GS=0V,I_S=35A

1.2

t_rr

T_J= 25°C, I_F= 35A

di/dt = 100A/μs^(Note3)

106

Qrr

Notes:

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.

3. Guaranteed by design, not subject to production

4. EAS condition : Tj=25℃,V_DD=50V,V_G=10V,L=0.25mH,Rg=25Ω

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page2

V2.0

http://www.ncepower.com

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